场效应管型号(场效应管有哪六种类型)

封装在TO-220/TO-220F/TO-3PN: FHP20N50中的fet可用于DC-交流电源转换器！

FHP20N50场效应管的特点是20A, 500V, RDS(on) = 1.5Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快，低内阻。

FHP20N50的主要封装形式是TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252，脚位排列位GDS。这款场效应管参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：4.5；BVdss（V）：500。

根据以上参数，不难发现可以和国外的IRFP460 FET相比。

为什么需要标杆？众所周知，在实际电路中，金属氧化物半导体晶体管在DC-交流变换器中起着关键的作用。目前市场上常用的场效应晶体管有IRFP460和2SK2837。

在电子产业链越来越需要建立内部循环体系的情况下，可应用于国内DC-交流变换器的FHP20N50场效应晶体管的出现，标志着IRFP460场效应晶体管的出现，使得许多电子工程师和制造商放下了寻找国产高质量场效应晶体管的迫切需求。

目前这款FHP20N50是n沟道增强型高压功率场效应管，既可以匹配国外的IRFP460型号的场效应管，也可以替代2SK2837型号的场效应管。目前广泛使用的场景有DC-交流电源变换器、DC-DC电源变换器、高压H桥PMW电机驱动、逆变器(1000W)/开关电源/焊机。

因此，FHP20N50可以代替IRFP460场效应管用于DC-交流变换器。

FHP20N50场效应管的特点是20A, 500V, RDS(on) = 0.3Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快，内阻低，耐冲击特性好。

FHP20N50主要包装形式为TO-220/TO-220F/TO-3PN，引脚排列为GDS。该场效应管参数：VGS(V):25；VTH(五):3-5；ID(A):20；BVdss(V):500 .

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