欧司朗照明(欧司朗光源)

【专利解密】欧司朗光电照明技术新突破

【卫报评论】第三代半导体具有带隙宽、熔点高(耐高温、抗辐射)、击穿场强高、耐压高、电子饱和漂移速度快(高频工作)、热导率高等优点，更适合在高温、高压、高频应用中工作。

据微网消息，中国国际半导体照明论坛近日在深圳成功举办。会议主题为“迎接新挑战，开创新时代”，吸引了

2019。在全球经济波动的背景下，全球第三代半导体实现逆势增长，行业进入从引进期向成长期过渡的关键时间点。中国第三代半导体也进入了一个新阶段。第三代半导体是新一代电子器件、移动通信、核心材料和光电应用等关键技术，将引发能源、交通和通信等诸多领域的颠覆性技术变革，进一步促进绿色可持续发展，这是未来竞争力的关键。

半导体照明技术作为第三代半导体材料的第一次突破，将推动相关材料在节能减排、信息技术和军事国防领域取得新的发展。自2003年科技部启动国家半导体照明工程以来，在有关部门和地方的支持下，中国半导体照明产业从高速发展向高质量发展转变，朝着成为工业强国的目标迈出了大步。在此基础上，第三代半导体也发展迅速。

在当前的背景下，为了进一步推进半导体照明技术的发展，提升发光半导体的运行效率，欧司朗光电半导体申请了一项名为“发光半导体芯片和光电子组件”的发明专利（申请号：9.4），申请人为欧司朗光电半导体有限公司。

图1

图1是本专利中提出的发光半导体芯片100的示意图。发光半导体芯片100具有平面扩展衬底101，在主表面104上具有半导体层序列102。第一接触105和第二接触106包括在半导体层序列102的背离衬底101的一侧114上。当发光半导体芯片100工作时，可以通过第一和第二触点105、106向半导体层序列102施加电压，使得它发射辐射109。

在芯片操作期间流向触点105、106的电流的一部分将流入透明导电层107，并从那里流向半导体层序列102。层107可以用作电流扩散层，以便在整个表面上尽可能多地与半导体层序列102电接触。

因此，半导体芯片100可以构成体积发射器。辐射109通过正面110上的层107、背面111上的半导体芯片100和侧面112上的半导体芯片100离开半导体芯片100。

图2

图2是本专利提出的光电元件200的示意图。半导体芯片100通过触点105、106电连接和机械连接到载体201的导体轨道202、203。载体201用于承载半导体芯片100，并提供用于电接触半导体芯片100的电接口。

此外，芯片100和印刷线路202之间有一定的距离。该距离205和印刷线路202、203的导热性可以使转换器206在芯片100和载体201之间完全冷却，这有助于延长组件200的使用寿命。

因此，上述模块可以降低金属反射器(也称作为镜)处的反射损失或，进而使组件200能够实现更高的效率。

第三代半导体在信息技术的新发展中非常重要，我们在发展第三代半导体的过程中必须保持开放的心态。作为第三代半导体材料的第一次突破，国内外一些企业已经