可控硅是什么(可控硅和固态继电器的区别)

可控硅测量方法图解

可控硅的原理图可控硅保护电路大致可以分为两种情况：一种是将保护装置安装在适当的地方，例如，RC吸收电路，限流电感，快速熔断器，压敏电阻或硒堆等。使用电子保护电路检测设备的输出电压或输入电流。当输出电压或输入电流超过允许值时，整流器桥通过整流器触发控制系统用于在短时间内以有源逆变器工作状态工作。从而抑制过电压或过电流的值。晶闸管过电流保护的原因晶闸管器件可分为两类。第一类是由于整流器电路的内部原因，例如整流器晶闸管，触发电路的损坏或控制系统的故障。整流桥晶闸管的损坏更为严重。由于晶闸管击穿不具有由于过电压引起的正向和反向阻断能力，因此等效于整流桥臂中的永久短路，当另两个臂式晶闸管导通时，这会阻止正常换相，从而导致线路之间短路引起的另一种过电流是由整流桥负载的外部电路短路引起的过电流。这种情况时有发生，因为整流桥的负载实际上就是逆变桥的逆变电路换相失败，这等效于整流桥的负载短路。另外，如果整流变压器的中心点接地，则当逆变器负载电路接地时，整流桥相对于地的短路也可能发生。对于第一种过电流，即由整流桥内部原因引起的过电流，并且逆变器负载电路接地，可以采取第一保护措施。最常见的方法是访问快速熔断器。见图片。可以通过三种方式访问​​保险丝，保险丝的特性和额定电流列于表中。图：整流器电路类型与系数的关系表。对于第二种过电流，即由整流桥负载的外部电路中的短路引起的过电流，应使用电子电路进行保护。常见的电子保护原理图如下：过电流保护原理图两个晶闸管的过压保护晶闸管设备将受到操作过程中交流电源电网输入的工作过电压和雷电过电压的攻击。同时，设备本身的操作和异常操作中都存在过电压。过压保护的第一种方法是并联连接电阻电容吸收电路，并使用压敏电阻或硒叠层之类的非线性元件进行抑制。见图和图。图：过压的电阻电容三角形抑制图：压敏电阻或硒叠层的过压和过压保护的第二种抑制方法是使用电子电路进行保护。
局部电流密度非常大，然后电流以μ的扩展速度扩展到整个阴极表面。晶闸管导通时，如果电流上升率过大，将导致结击穿。晶闸管的电流上升率必须限制在合适的范围内。有效的方法是将电感与晶闸管的阳极电路串联。如下图所示：串联电感抑制电路的电压上升率的抑制还应该限制添加到晶闸管中的正向电压上升率。如果太大，则由于晶闸管结电容的存在而产生大的位移电流。该电流实际上可以是电流。上部用作触发电流，这会降低晶闸管的正向阻断能力，并在严重情况下导致晶闸管错误导通。为了抑制的目的，电阻电容吸收电路可以在晶闸管的两端并联连接。如下图所示：图：并联电阻电容吸收电路4.为什么在晶闸管两端并联并联电阻电容网络在实际的晶闸管电路中，串联网络通常在两端并联连接。该网络通常称为电阻电容吸收电路。我们知道晶闸管具有重要的特性参数-截止状态电压的临界上升速率。结果表明，在额定结温和栅极开路条件下，晶闸管从截止状态到导通状态的最小电压上升速率。如果电压上升率太大而超过晶闸管的电压上升率的值，它将在没有门信号的情况下导通。即使此时施加到晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个结组成。当晶闸管处于阻断状态时，由于各层彼此靠近，因此结表面等效于电容器。当晶闸管的阳极电压改变时，充电电流流经电容器和结。该电流用作栅极触发电流。如果在晶闸管关闭时阳极电压上升得太快，则充电电流会更大，这可能会导致没有触发信号的情况下，栅电极会错误地导通，这通常称为硬导通。这是不允许的。因此，应当限制施加到晶闸管的阳极电压的增加速率。为了限制电路的过大的电压上升速率并确保晶闸管的安全运行，经常在晶闸管的两端并联一个电阻-电容吸收网络，并且该电压上升速率受到以下特性的限制：电容器两端的电压不能突然改变。由于电路中始终存在电感变压器的漏感或负载电感，因此与电容器的串联电阻会起到阻尼作用。它可以防止由于电路过渡期间的振荡而在电容器两端出现的过电压而导致电路损坏晶闸管。同时，为避免电容器通过晶闸管的放电电流过大，
由于晶闸管的过电流和过电压能力很差，如果不采取可靠的保护措施，它将无法正常工作。电阻电容吸收网络是常用的保护方法之一。五。整流晶闸管电阻电容吸收元件的电容选择×负功率×直流电流值如果可以计算整流器侧使用的晶闸管×负功率×μ选择μ，则电容器电阻的选择：×选择欧洲××π平方×负功率×